晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片(晶粒)，称之为晶圆划片。

　　以现在我们所掌握的技术，目前我们只能在一种在半导体行业内称为 GPP (Glass passivation Process) 的工艺所生产的台面二极管、方片可控硅、触发管晶圆的划片中应用，与传统的划片工艺相比有较大优势，目前国内有很多家工厂生产这种工艺制造的 GPP 晶圆及其成品。出于对产品质量精益求精的高要求，多家工厂无论在产品研发、科学研究、质量管理等方面，都不断致力于寻求新的工艺以提高工作效率，从而为客户提供更高质量的产品。

　　激光划片

　　由于激光在聚焦上的优点, 聚焦点可小到亚微米数量级, 从而对晶圆的微处理更具优势, 可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下, 也能得到较高的能量密度, 有效地进行材料加工。激光划片属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。

　　加工优势：

　　1、激光划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响小，可提高的划片成品率;

　　2、激光划片速度快，高达150mm/s;

　　3、激光可以对不同厚度的晶圆进行作业，具有更好的兼容性和通用性;

　　4、激光可以切割一些较复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等;

　  5、激光划片不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，并可连续24小时作业。

　　划片设备传统划片方式(砂轮)激光划片方式(光)

　　切割速度5-8mm/s1-150mm/s

　　切割线宽30～40微米30～45微米

　　切割效果易崩边，破碎光滑平整，不易破碎

　　热影响区较大较小

　　残留应力较大极小

　　对晶圆厚度要求100 um以上基本无厚度要求

　　适应性不同类型晶圆片需更换刀具可适应不同类型晶圆片

　　有无损耗需去离子水，更换刀具，损耗大损耗很小